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半導體器件iv+cv測試儀

 
 
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發(fā)貨 湖北武漢江夏區(qū)付款后3天內
品牌 普賽斯儀表
測試范圍 0~300V/0~3A
測試精度 0.03%
最大輸出功率 30W
更新 2024-12-25 16:04
手機號:18140663476
 
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武漢普賽斯儀表有限公司

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產品詳細

 IV特性是表征半導體二極管PN結制備性能的主要參數之一,普賽斯“五合一”高精度數字源表(SMU)可為高??蒲泄ぷ髡?、器件測試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具。不論使用者對源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導體參數分析儀或示波器是否熟悉,都能簡單而迅速地得到精確的結果,半導體器件iv+cv測試儀就找生產廠家武漢普賽斯儀表,詳詢一八一四零六六三四七六;

 分立器件特性參數測試是對待測器件(DUT)施加電壓或電流,然后測試其對激勵做出的響應,通常分立器件特性參數測試需要幾臺儀器完成,如數字萬用表、電壓源、電流源等。然而由數臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程、同步、連接、測量和分析,過程既復雜又耗時,又占用過多測試臺的空間;而且使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復雜的相互間觸發(fā)操作,有更大的不確定性及更慢的總線傳輸速度等缺點。實施半導體分立器件特性參數分析的Z佳工具之一是數字源表(SMU)。數字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、伏特計、安培計和歐姆表,還可用作精密電子負載,其高性能架構還允許將其用作脈沖發(fā)生器、 波形發(fā)生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng),支持四象限工作。

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普賽斯“五合一”高精度數字源表


  普賽斯“五合一”高精度數字源表(SMU)可為高??蒲泄ぷ髡摺⑵骷y試工程師及功率模塊設計工程      師提供測量所需的工具。不論使用者對源表、電橋、曲線跟蹤儀、半導體參數分析儀或示波器是否熟悉,都能簡單而迅速地得到精確的結果。本應用解決方案介紹了半導體分立器件中常見的測試和相關挑戰(zhàn),以及普賽斯數字源表(SMU)怎樣簡化測量流程,幫助用戶快速、精準獲得測試數據或者電流電壓(I-V)、電容電壓(C-V)特性曲線等。


普賽斯源表輕松實現(xiàn)二極管特性參數分析 

  二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向導 電性元器件,產品結構一般為單個PN結結構,只允許   電流從單一方向流過。發(fā)展至今,已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管、肖特基二極管、快恢復二極管、PIN二極管、光電 二極管等,具有安全可靠等特性,廣泛應用于整流、穩(wěn)壓、保護等電路中,是電子工程上用途Z廣泛的電子元 器件之一。

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    IV特性是表征半導體二極管PN結制備性能的主要參數之一,二極管IV特性主要指正向特性和反向特性: 

    正向特性:

    當在二極管兩端外加正向電壓時,在正 向特性的起始部分,正向電壓很小,正向電流幾乎為零,這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導通的正向電 壓稱為死區(qū)電壓。當正向電壓大于死區(qū)電壓以后,二極 管正向導通,電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內,導通時二極管的端電壓幾乎維持不變, 這個電壓稱為二極管的正向電壓。 

    反向特性:

    當外加反向電壓時,如果電壓不超過一定范圍時,反向電流很小,二極管處于截止狀態(tài),這個電流稱為反向飽和電流或漏電流。當外加反向電壓超 過某一數值時,反向電流會突然增大,這種現(xiàn)象稱為電       擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。

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    表征二極管性能好壞和適用范圍的技術指標主要包含正向壓降(VF)、反向漏電流(IR)和反向擊穿電壓 (VR)等參數。

       

   正向壓降(VF) 

    在規(guī)定的正向電流下,二極管的正向壓降,是二極  管能夠導通的正向Z低電壓。小電流硅二極管的正向   壓降在中等電流水平下,約0.6~0.8 V;鍺二極管約 0.2~0.3 V;大功率的硅二極管的正向壓降往往達到1V。 測試時,需要根據二極管工作電流的大小來選擇 不同的測試儀表:當工作電流小于1A時,使用S系列源 表進行測量;電流在1~10A之間時推薦使用P系列脈沖源表;電流在10~100A之間時推薦HCP系列大電流臺式脈沖源;100A以上推薦HCPL100高電流脈沖電源。

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    反向擊穿電壓(VR) 

     二極管根據材料和結構的不同,其擊穿電壓大小也不同,低于300V推薦普賽斯S系列臺式源表,300V以上推薦E系列高壓源測單元。

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    大電流測試時,測試導線的電阻不可忽略,需要使用四線測量模式,可以消除引線電阻的影響,普賽斯所有源表均支持四線測量模式。

    當測量低電平電流(<1μA)時,可以使用三軸同軸連接器和三同軸電纜。三同軸電纜由內芯(主,對應連  接器為中心觸點)、保護層(對應連接器為中間圓柱狀觸點)、外皮屏蔽層組成。在接入源表保護端的測試電路中,由于三同軸的保護層與內芯之間是等電位,不會有漏電流產生,能夠提高低電流測試精度。


    C-V特性測試 

    二極管參數表征除了I-V測試,也需要進行C-V測 ,C-V測量方法可以得到關于二極管摻雜濃度、缺陷 之類的特性;二極管C-V測試方案由S系列源表、LCR、測試夾具盒以及上位機軟件組成。


如需獲取更多半導體器件iv+cv測試儀的信息,歡迎來電咨詢18140663476!武漢普賽斯是國內醉早生產源表的廠家,產品系列豐富:產品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產已經過了市場的考驗、市面有近500臺源表在使用,市場占有率高;SXXB系列高精度數字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,直流更大、精度更高、準確度提升至±0.03%,直流電流升級至3A,可為半導體行業(yè)提供更加精準、穩(wěn)定的測試方案


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