主要用途                                    

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。其廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車、新能源裝備等領(lǐng)域。

系統(tǒng)概述                            

針對(duì)軌道交通的IGBT模組的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試需求而研發(fā)的智能測(cè)試系統(tǒng)，自動(dòng)化程度高，按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作。進(jìn)行測(cè)試時(shí)，有詳細(xì)的測(cè)試記錄，包括測(cè)試時(shí)間、測(cè)試環(huán)境、測(cè)試設(shè)備和儀器、測(cè)試結(jié)果等信息，便于后續(xù)分析和檢查計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并且測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本或EXCEL格式存儲(chǔ)，工作時(shí)序、開關(guān)的動(dòng)作狀態(tài)、數(shù)據(jù)采集等均由設(shè)備配置的計(jì)算機(jī)和PLC共同完成。

測(cè)試方法靈活，可測(cè)試單個(gè)單元和多單元的模塊，系統(tǒng)安全穩(wěn)定，整體采用輪式機(jī)柜集成測(cè)試，具有簡(jiǎn)潔的人機(jī)交互界面（計(jì)算機(jī)）和良好的保護(hù)措施，操作簡(jiǎn)單，移動(dòng)方便等特點(diǎn)。

系統(tǒng)單元及參數(shù)條件