4英寸碳化硅基氮化鎵外延片廠家價(jià)格結(jié)構(gòu)

蘇州恒邁瑞公司供應(yīng)4-6英寸碳化硅基氮化鎵外延片，GaN-on-SiC結(jié)合了碳化硅優(yōu)異的導(dǎo)熱性和GaN高功率密度、低損耗能力，襯底上的器件可在高電壓和高漏極電流下運(yùn)行，結(jié)溫將隨RF功率緩慢升高，RF性能更好，目前多數(shù)GaN射頻器件的襯底都是碳化硅。受限于SiC襯底，目前尺寸仍然限制在4寸與6寸，8寸還沒(méi)有推廣。GaN-on-SiC外延片主要用于制造微波射頻器件。

GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng)，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術(shù)在GaN材料應(yīng)用中的進(jìn)展和關(guān)鍵薄膜生長(zhǎng)技術(shù)的突破，成功地生長(zhǎng)出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）、異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)、調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MODFET）等新型器件。GaN高效率、低損耗與高頻率的材料特性使其在消費(fèi)電子充電器、電源適配器等領(lǐng)域具有相當(dāng)?shù)臐B透潛力?？斐鋷?dòng)GaN功率器件應(yīng)用，與傳統(tǒng)充電器相比，相同功率下的GaN充電器體積更小，質(zhì)量更輕攜帶便利。GaN充電器充電功率大，充電速度快，可滿足多臺(tái)設(shè)備同時(shí)充電的場(chǎng)景需求，且價(jià)格相對(duì)便宜。在電源適配器、無(wú)線充電應(yīng)用中， GaN器件關(guān)斷速度快、開關(guān)頻率高、無(wú)反向恢復(fù)損失、低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn)可以得到充分發(fā)揮，逐步取代原有電源適配器中Si MOSFET趨勢(shì)明顯。GaN的“雙高”特性在高性能消費(fèi)電子設(shè)備中滲透潛力巨大，可滿足快速充電與充電保護(hù)的場(chǎng)景要求。具體應(yīng)用場(chǎng)景主要包括：PD快充、電源適配器、無(wú)線充電、過(guò)電壓保護(hù) OVP等。