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利用源表測試GaN HEMT射頻器件的脈沖I-V參數(shù)

 
 
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品牌 普賽斯儀表
測試范圍 0~300V/0~10A
測試精度 0.1%
Z大輸出功率 30W
更新 2024-12-25 16:04
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武漢普賽斯儀表有限公司

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基于普賽斯Р系列脈沖源表/CP系列恒壓脈沖源的脈沖I-V特性測試系統(tǒng)

 整套測試系統(tǒng)基于普賽斯P系列脈沖源表/CP恒壓脈沖源,配合探針臺以及專用測試軟件,可用于GaN  HEMT 、GaAs射頻器件脈沖I-V參數(shù)測試,尤其是脈沖l-V輸出特性曲線的繪制。

P系列脈沖源表

 P系列脈沖源表是普賽斯推出的高精度、強輸出、寬測試范圍的脈沖式源表,集電壓、電流的輸入輸出及測量等多種功能。產(chǎn)品具有直流、脈沖兩種工作模式。Z大輸出電壓達300V,Z大脈沖輸出電流達10A,Z大電壓300V,Z大電流1A,支持四象限工作,支持線性、對數(shù)、自定義等多種掃描模式??捎糜谏a(chǎn)、研發(fā)中的GaN、GaAs射頻材料以及芯片的脈沖式l-V特性測試。

CP系列脈沖恒壓源

 普賽斯CP系列脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度寬量程插卡式脈沖恒壓源。設(shè)備支持窄脈沖電壓輸出,并同步完成輸出電壓及電流測量;支持多設(shè)備觸發(fā)實現(xiàn)器件的脈沖l-V掃描等;支持輸出脈沖時序(如delay.pulse  width、period等)調(diào)節(jié),可輸出復雜曲線。其主要特點有:脈沖電流大,Z高可至10A;脈沖寬度窄,最小可低至100ns;支持直流、脈沖兩種電壓輸出模式;支持線性、對數(shù)以及自定義多種掃描工作方式。產(chǎn)品可應用于氮化家、砷化竊等材料構(gòu)成的高速器件的I-V測試。

 對于射頻器件的脈沖式l-V特性測試,其柵極電壓—般在±10V以內(nèi),源、漏端電壓在±60V以內(nèi),脈沖寬度從0.5us~500us不等,占空比為10%或20%。此外,由于器件為三端口類型,因此,至少需2臺Р源表,或者2通道CP子卡。

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脈沖輸出特性曲線測試

  由于GaN器件材料以及生產(chǎn)工藝限制,存在電流崩塌效應。因此,器件在脈沖條件下工作時會存在功率下降,無法達到理想的大功率工作狀態(tài)。脈沖輸出特性測試方法為,在器件的柵極和漏極同步施加周期性脈沖電壓信號,柵極和漏極的電壓會同步在靜態(tài)工作點和有效工作點之間進行交替變化。在Vcs和Vos為有效電壓時,對器件電流進行監(jiān)測.研究證明,不同的靜態(tài)工作電壓以及脈寬長度對電流崩塌有不同影響。


基于普賽斯CP系列恒壓脈沖源的脈沖S參數(shù)測試系統(tǒng)

  整套測試系統(tǒng)基于普賽斯CP系列恒壓脈沖源,配合網(wǎng)絡(luò)分析儀、探針臺、Bias-tee夾具,以及專用測試軟件。在直流小信號S參數(shù)測試的基礎(chǔ)上,可實現(xiàn)GaN  HEMT 、GaAs射頻器件脈沖S參數(shù)測試。

  武漢普賽斯一直專注于功率器件、射頻器件以及第三代半導體領(lǐng)域電性能測試儀表與系統(tǒng)開發(fā),基于核心算法和系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺優(yōu)勢,率先自主研發(fā)了高精度數(shù)字源表、脈沖式源表、脈沖大電流源、高速數(shù)據(jù)采集卡、脈沖恒壓源等儀表產(chǎn)品以及整套測試系統(tǒng)。產(chǎn)品廣泛應用在功率半導體材料與器件、射頻器件、寬禁帶半導體的分析測試領(lǐng)域。可根據(jù)用戶的需求,提供高性能、高效率、高性價比的電性能測試綜合解決方案。


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