IGBT功率半導(dǎo)體器件主要測(cè)試參數(shù)

    近年來(lái)IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,那么IGBT的測(cè)試就變的尤為重要了。lGBT的測(cè)試包括靜態(tài)參數(shù)測(cè)試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、功率循環(huán)、HTRB可靠性測(cè)試等,這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

    IGBT靜態(tài)參數(shù)主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電壓VcE(sat)、續(xù)流二極管壓降VF、輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crsso只有保證IGBT的靜態(tài)參數(shù)沒(méi)有問(wèn)題的情況下,才進(jìn)行像動(dòng)態(tài)參數(shù)(開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、續(xù)流二極管的反向恢復(fù))、功率循環(huán)、HTRB可靠性方面進(jìn)行測(cè)試。功率半導(dǎo)體器件igbt測(cè)試系統(tǒng)igbt靜態(tài)測(cè)試儀器認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，詳詢一八一四零六六三四七六；

IGBT功率半導(dǎo)體器件測(cè)試難點(diǎn)

    IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn);同時(shí)IGBT芯片屬于電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對(duì)芯片的可靠性要求較高。這給IGBT測(cè)試帶來(lái)了一定的困難:

1、IGBT是多端口器件,需要多種儀表協(xié)同測(cè)試;2、IGBT的漏電流越小越好,需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試;

3、IGBT的電流輸出能力很強(qiáng),測(cè)試時(shí)需要快速注入1000A級(jí)電流,并完成壓降的采樣;

4、lGBT耐壓較高,一般從幾千到一萬(wàn)伏不等,需要測(cè)量?jī)x器具備高壓輸出和高壓下nA級(jí)漏電流測(cè)試的能力;

5、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯，嚴(yán)重時(shí)容易造成器件燒毀,需要提供us級(jí)電流脈沖信號(hào)減少器件自加熱效應(yīng);

6、輸入輸出電容對(duì)器件的開(kāi)關(guān)性能影響很大,不同電壓下器件等效結(jié)電容不同,C-V測(cè)試十分有必要。

普賽斯IGBT功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案

   普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

圖5:IGBT測(cè)試系統(tǒng)圖

    普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置由多種測(cè)量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設(shè)計(jì)能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。

“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

    高電壓、大電流

    具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(Z大可擴(kuò)展至10kV)

    具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))

    高精度測(cè)量

    nA級(jí)漏電流,  μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

    0.1%精度測(cè)量

    模塊化配置

    可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元

    測(cè)試效率高

    內(nèi)置專用開(kāi)關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元

    支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試

    擴(kuò)展性好

    支持常溫及高溫測(cè)試可靈活定制各種夾具

測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

普賽斯功率半導(dǎo)體器件igbt測(cè)試系統(tǒng)igbt靜態(tài)測(cè)試儀器特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

單臺(tái)Z大3500V輸出；

單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；

15us的超快電流上升沿；

同步測(cè)量；

國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；

可定制夾具；

nA級(jí)電流和uΩ級(jí)電阻測(cè)量；