霍爾傳感器響應時間測試大電流源特點

50μs-500μs的脈沖寬度連續(xù)可調(diào)

15μs超快上升沿（典型時間）

兩路同步測量電壓0.3mV-18V

0.1%測試精度

單臺5A-1000A程控輸出，可多臺并聯(lián)蕞高達6000A

支持過流保護、異常開路保護

可快速測試IGBT或SiC的單管及半橋

可適用于大電流傳感器（階躍）響應時間測試 

技術(shù)指標
電流脈寬  50μs~500μs
脈沖電流上升沿時間    典型時間15us
輸出脈沖電流        5 ~1000A量程，精度0.1%FS±1A
輸出負載電壓要求<12V@1000A
DUT電壓測量    2獨立通道
DUT電壓測量   遠端測量，峰值電壓測量（取樣點可配置）
DUT電壓測量    0~0.3V量程，精度0.1%±0.3mV

DUT電壓測量   0~3V量程，精度0.1%±3mV

DUT電壓測量    0~18V量程，精度0.1%±8mV
電流脈沖輸出間隔時間1秒
電流脈沖峰值功率<12kW
支持多設(shè)備并聯(lián)輸出超大電流，如3000A
支持輸出極性反轉(zhuǎn)
觸發(fā)信號  支持trigin及trig out
通訊接口 RS232
輸入電壓        90~264VAC、50/60Hz
輸入功率<750W
尺寸：長516x寬250x高160mm
 

應用領(lǐng)域

肖特基二極管

整流橋堆

IGBT器件

IGBT半橋模塊

IPM模塊

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯(lián)系我們！